Está usted visitando una publicación en la hemeroteca de CSIRT-CV.
Para acceder al portal y contenido actual, visite https://www.csirtcv.gva.es
16/03/2015
Vulnerabilidad física en las memorias DRAM
El fallo ha sido bautizado como "Rowhammer" y llama especialmente la atención. Vulnerabilidad curiosa.
Esta vez el fallo no está en el software, sino en la fabricación de memorias DRAM modernas. El problema se produce al acceder repetidamente a una dirección de memoria y que también provocaría cambios en las filas adyacentes, cuando el acceso a una dirección de memoria no debería tener efectos colaterales en los datos de otras direcciones.
La causa sería la fabricación de memorias de menor tamaño y mayor capacidad que hace que las células estén cada vez más juntas, complicando el aislamiento y aumentando la sensibilidad eléctrica.
Un equipo de la Universidad de Carnegie Mellon e Intel ha realizado esta investigación en equipos Intel y AMD y con memorias de tres fabricantes.
https://developer.chrome.com/native-client